【每日谈】芯片颗粒控制门槛已压到5nm以下，湿电子化学品的国产化却卡在先进制程，高端品类的窗口正在打开

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天风证券指出，湿电子化学品国产化已在成熟制程打开局面，但先进技术节点所需的功能性产品仍高度依赖进口，高级湿电子化学品企业或迎机遇。随着先进制程持续微缩，可容忍的缺陷尺寸同步下降，颗粒控制门槛正被系统性抬高。晶瑞电材、江化微、上海新阳、格林达、中巨芯等已在通用与功能品类加速布局。

1）制程微缩，颗粒控制门槛下探至纳米级

先进制程持续演进，芯片关键尺寸不断缩小。据IRDS，先进逻辑器件最紧金属互连间距、底层金属互连间距与器件栅长都在同步收缩，可容忍的缺陷尺寸也随之下探。关键尺寸缩小的同时，可容忍缺陷尺寸同步下降。据IRDS，当前最关键电活性颗粒的致命尺寸按逻辑器件半间距口径已低至约3.0nm，先进制程对微小颗粒污染的控制要求持续提升。

颗粒控制尺度同步趋严，SEMI指出，半导体制造对超纯水及超高纯化学品的颗粒控制尺度，已由过去约100nm逐步收紧至20nm及以下，并进一步向个位数纳米级发展。门槛抬高不只体现在颗粒一个维度。半导体液体化学品的质量控制已由单一纯度指标，逐步拓展至颗粒、痕量金属及有机污染物等多个维度；质量控制范围也由化学品本身，延伸到包装、储运及化学品输送系统。

2）先进封装面积与层数齐增，湿法工艺处理量同步放大

先进封装正加速向高性能计算与AI等应用渗透。据TechInsights，先进封装晶圆占全部生产晶圆的比重由2022年的约43%，预计提升至2027年的52%以上；TSV等先进互连结构进一步拓展了电镀、刻蚀及表面处理等湿法工艺的使用场景。

先进封装持续向更大面积与更多层数演进，单个封装对应的湿法加工面积随之上行。CoWoS-S硅中介层尺寸在过去十年已由1倍光罩尺寸提升至3.3倍光罩尺寸，CoWoS-L则进一步向更大尺寸演进；封装内部互连也由单层向多层演进，随着再布线层层数增加，相关逐层加工环节相应增加。

产能扩张直接放大湿法工艺的处理量。台积电、日月光、Amkor等厂商正持续扩大先进封装产能布局，面向高性能计算与AI大规模制造。随着先进封装产线和晶圆处理能力增加，湿法工艺的总处理次数和处理面积将同步增加，进而带动相关湿电子化学品消耗增长。

3）集成电路需求放量，前道晶圆制造是主引擎

半导体产业持续扩产带动材料需求增长，晶圆制造材料成为市场扩容的主要驱动力。我国半导体材料市场收入由2020年的630.7亿元增至2024年的958.6亿元，其中晶圆制造材料的占比已超过封装材料。

湿电子化学品需求主要来自前道晶圆制造环节。随着晶圆产能扩张，我国集成电路产业的湿电子化学品需求稳步攀升，合计年均增幅达14.30%。

显示面板是我国少有的全球领先产业，为湿电子化学品提供稳定的基础需求。我国TFT-LCD与OLED用湿电子化学品需求量2024年同比增长18.71%，规模稳步扩大。

4）国产化在成熟制程打开局面，先进制程仍是进口主场

欧美、日韩企业主导全球湿电子化学品市场。通用品类以德国巴斯夫份额最高，功能性品类则由陶氏杜邦、慧瞻、英特格等美资企业在清洗液、电镀液等配方类产品上占据明显优势。

国内企业的国产化主要集中在成熟制程。2024年，我国集成电路用湿电子化学品国内市场占有率已达55%，半导体显示用达到54%。电子级双氧水、硫酸、氢氟酸、磷酸等品种的国产供应快速上量，成熟制程已实现大规模应用。

先进制程仍是进口品牌的天下。国内高等级应用领域的内资企业市场占有率仍较低，面向8吋及以上集成电路、6代线以上平板显示的超净高纯试剂，先进技术节点所用的功能性产品仍高度依赖进口；截至2025年，国内能量产并稳定供应的功能湿化学品仍以成熟制程为主，国内主要内资企业产能正加速铺开。