8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发布系列推文，阐述3D NAND闪存制造从钨向钼转型的技术逻辑。
其指出，3D NAND约十年前即停止横向缩小，转而依靠垂直堆叠层数提升存储密度，但当层数突破约300层后，连接每个存储单元的钨字线遭遇物理瓶颈：电阻过高、基于氟的化学工艺导致漏电，以及在超深孔中无法有效填充。
SemiAnalysis指出，钼不是一种优化，而是300层以上NAND的必选项：与钨相比，钼具备更低电阻（带来更快读写速度）、无需氟基化学工艺，以及在高深宽比结构中更好的填充能力，三点恰好对应钨在深层堆叠中暴露的缺陷，材料替换具有技术必然性。
国金证券指出，3D NAND向300层以上演进后，钨字线厚度不断减薄，有效导电面积减少，电阻上升、RC延迟增加，成为制约垂直微缩的关键瓶颈。钼在纳米尺度下具有更低的有效电阻率，并具备无阻挡层集成和高深宽比结构填充潜力。援引铠侠（Kioxia）2024年研究结果，不同字线间距下钼字线的RC性能均优于钨字线，当字线间距缩小17%时钼字线RC较钨改善18%，相同RC水平下钼字线间距可进一步缩小7.3%以上，拓展3D NAND垂直微缩空间。
中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。
其指出，短期看，半导体用钼绝对量仍较小、对总需求拉动有限，但其高纯度、高技术壁垒和高附加值特征有望提升钼材料结构性价值，利好钼靶材、钼薄膜材料及精深加工企业；若头部厂商持续扩大钼工艺应用范围，半导体钼材料需求有望从验证导入进入规模放量阶段，推动钼从传统工业金属向高端制造和半导体材料方向重估。
公司方面，据上市公司互动平台、公告及券商研报表示，
金钼股份：公司是钼资源龙头，已形成采选、冶炼、化工、金属加工一体化产业链，钼产品销量全球市占率约13%，深度布局钼粉业务。
盛龙股份：洛阳国资委控制的钼资源开发平台。
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