颠覆传统技术垄断,马斯克或采用FEL技术挑战EUV光刻机


SpaceX与特斯拉初期投入168亿美元共建Terafab芯片制造设施,FEL技术理论上可将光刻波长推向6nm。今日重要性:✨

据报道,SpaceX近日宣布,将与特斯拉合作,初期投入168亿美元,在美国得克萨斯州共建一座名为“Terafab”的芯片制造设施。据悉,马斯克可能计划采用自由电子激光器(FEL)技术路线,直接挑战ASML现有的LPP EUV光源方案,颠覆传统EUV光刻技术的垄断格局。马斯克本人随后在社交平台发文“FEL FTW”(FEL必胜),被外界视为对这一推测的侧面印证。

据SpaceX官网介绍,Terafab将集先进逻辑芯片和存储器件制造、封装与测试于一体,旨在实现芯片的快速迭代与部署,为SpaceX未来的航天计算需求提供自主可控的供应链支撑。FEL技术具备高功率、高相干性、波长可调谐以及更高能效等优势,理论上可将光刻光源从当前主流的13.5nm推向6nm乃至更短波长。

公司方面,据上市公司互动平台、公告及券商研报表示,

东方钽业:公司回答FEL相关问题时表示募投项目“年产100支铌超导腔生产线技术改造项目”已结项并投产。

本川智能:公司表示产品广泛应用于工业机器人的伺服驱动器及可编码控制器、电子激光工具。

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