据Wccftech报道，英特尔近期公布一项专利，揭示了其"跨批次内存"（XBM）架构方案。XBM旨在绕开HBM对硅中介层的依赖，采用后端1T1C晶体管工艺与UCIe串行互连（32 GT/s）替代传统宽带并行接口，从而压缩封装成本。每个堆栈容量0.5-5GB，8层堆栈最高96个数据模块，16层可达192个。
但XBM商业化目标锁定在2030年之后，与英特尔联合软银SAIMEMORY开发的ZAM内存时间线一致。分析人士指出，当前以英伟达为核心的AI加速器生态已深度适配HBM架构，向替代方案迁移面临高昂的生态壁垒与兼容性成本。HBM市场仍由SK海力士与三星主导，供应紧张与成本高企正推动多元方案探索，但短期内格局难以撼动。
万联证券研报指出，一方面，AI旺盛需求下，三星与SK海力士正加速扩产——SK海力士将龙仁半导体集群建设提前12年推进，投资约600万亿韩元；日月光宣布再度调涨先进封装报价，涨幅最高超20%，涵盖CoWoS和FoCoS等品类，表明先进封装行业景气度持续走高。HBM所依赖的硅中介层、TSV和混合键合等先进封装工艺仍是当前不可替代的关键环节。
另一方面，国海证券称，传统封装同样维持庞大需求基础，全球传统封装加工收入预计从2025年556亿美元增至2030年698亿美元（CAGR约4.7%）。AI数据中心电源管理需求带动传统封装固晶、焊线设备回升，ASMPT 2025年中国市场传统封装业务同比增约18%。
公司方面，据上市公司互动平台、公告及券商研报表示，
长电科技：国内先进封装龙头，公司拟78亿元投建上海临港高端封测厂，一期计划2028年下半年落地。
晶方科技：晶圆级封装龙头，公司具备TSV、异质集成、正背面RDL、倒装焊及多层3D堆叠等工艺能力。
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