美光CEO坦言行业已成“最大供需缺口”,美股存储再创新高


存储行业面临由AI引发的结构性供应冲击,HBM需求挤占传统产能,合约价持续大涨。国内存储龙头IPO与扩产在即,上游设备材料高景气确定性增强。今日重要性:✨

长假前最后一个交易日,美股存储公司再度大涨,闪迪涨超11%,美光涨8.7%,均创历史新高。

6月20日,德意志银行研究院发布重磅报告指出,AI军备竞赛正在引爆一场全球存储芯片危机,破坏力已远超半导体行业本身,开始向整体宏观经济蔓延。报告披露,2025年全球存储市场总营收同比增长35%,创下2230亿美元的历史纪录;SK海力士、美光与三星三大巨头市值均已突破1万亿美元,合计控制全球DRAM市场逾90%份额。

德银认为,这绝非传统的"繁荣与萧条"周期重演,而是一场由AI引发的深远结构性供应冲击。AI对高带宽存储(HBM)的"无底洞"需求,正在疯狂挤占传统存储芯片产能。美光CEO公开表示,目前只能满足部分关键客户50%至三分之二的需求,称这是"有史以来见过的最大供需缺口"。据Trendforce数据,26年一季度AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡,一般型DRAM合约价环比提升93%至98%,NAND Flash合约价环比提升85%至90%。

长城证券指出,AI服务器需求支撑下,26年二季度DRAM合约价预计仍将环增58%至63%,NAND合约价将环增70%至75%,且中小容量NOR与SLC NAND涨幅更大,上半年累积合约价涨幅已分别突破100%。招商证券认为,海外原厂产能倾斜挤压利基产品产能,而需求稳定,预计下半年高容量NOR Flash仍有60%至65%以上调涨空间,SLC NAND有70%至75%上涨空间,存储供需缺口或将持续至2027年乃至更久。

国内存储产业链同步迎来历史性突破。长鑫科技上市已完成注册申请,公司26年一季度营收508亿元,归母净利润248亿元,公司拟募资295亿元投向量产线升级及DRAM技术研发,预计2026年现有三厂产能全部达产。国内NAND闪存龙头长江存储也已完成IPO辅导备案,其全球首款294层3D NAND闪存量产后良率超90%,核心扩产项目武汉三期工厂提前至2026年下半年量产,达产后月产能将提升至30万片。

存储扩产大潮下,上游设备材料环节的高景气兑现正加速。长江证券认为,由于存储芯片需求旺盛且两存对国产设备需求相对紧迫,行业景气具备长期延续性,存储缺货预计延续至2027年,产业链公司业绩有望持续高增。

公司方面,据上市公司互动平台、公告及券商研报表示,

北方华创:国内半导体设备平台型龙头企业,覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、热处理等几乎所有晶圆制造核心环节,机构称在国内存储双雄大规模扩产背景下,设备需求确定性最强。

合百集团:公司通过基金间接持有长鑫科技少部分股权,公司自身为安徽国有上市的区域零售龙头企业。

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