碳化硅外延薄膜突破，相关产业有望大幅增长

2026/05/27 14:36

此次突破是首次在国际上实现这一厚度级别的稳定制备。今日重要性：✨

据上证报5月27日报道，近日，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院的皮孝东教授和王蓉研究员团队，成功"长"出了厚度超过300微米的碳化硅超厚外延薄膜，首次在国际上实现这一厚度级别的稳定制备。

华西证券研报分析，随着AI发展，SiC(碳化硅)在AI相关领域的需求有明显增长，并且未来存在大量增长空间，判断到2030年整体电源的SiC衬底需求有望接近700亿元。

公司方面，据上证报表示，

环旭电子：公司宣布成功将碳化硅晶粒预埋于多层ABF基板之中，并创新采用单面铜裸露模块封装技术整合陶瓷绝缘基板与无线键合工艺。

斯达半导：公司为800V高压电源，服务器电源用 SiC模块主力供应商。

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