【每日谈】光模块的“隐形心脏”：InP衬底供不应求，薄膜铌酸锂迎3.2T风口，梳理两大核心材料投资机会

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华泰证券研报指出，AI算力带动800G/1.6T光模块放量，光芯片需求暴增，其核心材料InP衬底（磷化铟）迎来高景气，海外龙头主导但国产替代窗口打开。下一代3.2T光模块中，薄膜铌酸锂调制器凭借低功耗、高带宽优势有望成主流，国内产业链各环节已有布局，成长空间广阔。

随着近年800G、1.6T光模块需求量的快速提升，以及未来3.2T时代的渐行渐近，看好光模块上游核心材料的发展机遇，本篇报告中我们将系统梳理InP衬底与薄膜铌酸锂两大产业的成长逻辑：其中InP衬底作为光芯片上游核心原材料，受益于光芯片厂商需求的快速拉动，行业呈现供不应求趋势；薄膜铌酸锂制备的调制器基于低功耗、高带宽等优势，未来有望于3.2T可插拔方案中迎来导入窗口期，产业链成长空间广阔。

1）AI算力带动光模块需求高增长，光芯片需求快速释放

随着全球科技巨头继续加码AI算力投资，光模块产业链有望延续高景气度。根据LightCounting于2026年1月发布的预测，全球高速率（100G及以上）数通光模块市场规模有望由2025年的164亿美金扩张至2031年的521亿美金。

光芯片作为光模块上游核心原材料之一，需求侧亦呈现高增趋势，根据源杰科技港股招股书中的数据，预计全球光芯片市场规模有望由2024年的26亿美金增长至2030年的229亿美金，对应期间CAGR达44%。

2）InP衬底：光芯片带动需求侧高增长，行业具备高壁垒

InP衬底是光芯片生产的核心原材料之一。

随着2026~2027年800G、1.6T光模块拉动光芯片需求快速释放，Lumentum、Coherent、源杰等国内外光芯片头部厂商均在积极扩充产能，InP衬底有望迎高速发展期，Yole预测，全球InP衬底销量（折合为2英寸）有望从2019年的50万片增加至2026年的128万片。

全球InP衬底市场高度集中，日本住友、北京通美及日本JX占据超90%份额，华泰证券认为需求高增长背景下，新晋厂商有望获得导入机遇。

InP衬底的产业链可划分为高纯原材料（红磷、金属铟等）→多晶合成→单晶生长、衬底制备→外延片/光芯片。

3）薄膜铌酸锂：3.2T渐行渐近，产业迎广阔发展机遇

随着3.2T光模块的渐行渐近，单通道调制速率需达到400G，华泰证券判断薄膜铌酸锂相比于纯硅光调制器具备超高带宽、低功耗、低损耗等方面优势，有望迎来导入机遇。

根据测算，2031年仅3.2T光模块带动的薄膜铌酸锂调制器市场空间有望近30亿元，对应2029~2031年CAGR达271%。

薄膜铌酸锂的产业链可划分为铌酸锂晶体材料→薄膜铌酸锂晶圆→薄膜铌酸锂调制器（芯片），各环节均具备较高技术壁垒，我国厂商在以上各领域均已取得积极进展，看好相关厂商在3.2T时代有望迎接广阔发展机遇。

4）产业链核心环节厂商梳理

InP衬底：

【高纯铟】Indium、Dowa、日本Rasa、株洲科能、北京通美、广东先导等；

【多晶合成】日本住友、北京通美（AXT控股子公司）、日本Rasa、英国Wafer、珠海鼎泰（博杰股份参股）、陕西铟杰；

【InP衬底】日本住友、北京通美、日本JX、珠海鼎泰、云南锗业、广东先导。

薄膜铌酸锂：

【铌酸锂晶体材料】天通股份、南智芯材、日本山寿陶瓷、恒元光电、德清华莹（信维通信参股）等；

【薄膜铌酸锂晶圆】济南晶正、上海新硅聚合、美国Partow；

【薄膜铌酸锂调制器（芯片）】江苏铌奥光电、Hyperlight、易缆微半导体（安孚科技参股）等。

研报来源：华泰证券，王兴，S0570523070003，光模块上游核心材料发展机遇。2026年4月20日

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