重塑产业链，三星加速研发下一代高带宽内存

2026/04/19 14:37

三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E样品。今日重要性：✨

报环球网4月16日报道，三星电子正全力推进其下一代高带宽内存（HBM）产品的研发进程，力求在高端人工智能内存市场进一步巩固自身的优势。据悉，三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E样品，其目标是在下月中旬之前，让代工部门成功生产出HBM4E核心逻辑芯片的样品。

新一轮AI硬件升级浪潮不仅推高了先进芯片的需求，也正在深刻重塑整个存储产业链的供需格局。HBM技术的出现，可以说是存储领域的一次革命。AI的火热，令HBM成了紧俏货。2026年被视为“HBM超级周期”元年，全球HBM3E/HBM4产能已被英伟达、AMD及云厂商预订至2027年Q1，供需缺口高达50%-60%。数据显示，未来HBM市场将以每年42%的速度增长，将从2023年的40亿美元增长到2033年的1300亿美元。到2033年，HBM将占据整个DRAM市场的一半以上。

公司方面，据中证报表示，有飞凯材料、太极实业等。

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