台积电看好大尺寸CoWoS，碳化硅或成下一代AI封装关键材料

4月16日，台积电举行2026 Q1绩后法说会，台积电在会上明确表示，先进封装产能非常紧张，核心战略是发展更大尺寸的CoWoS技术。公司规划2026年推出5.5倍光罩尺寸、2027年实现9.5倍光罩尺寸的CoWoS封装，以支持12层HBM与多芯片集成，满足AI芯片对更高集成度的需求。

台积电路线与NVIDIA下一代AI芯片规划高度印证，RubinUltra等产品采用CoWoS？L封装与N3P工艺，印证大尺寸、高带宽、高功耗密度成为未来2–3年高端封装核心竞争维度，先进封装已从配套环节升级为决定AI算力上限的关键变量。伴随CoWoS向超大尺寸迭代，行业核心矛盾由产能约束转向热管理与翘曲控制。

证券时报援引分析师观点称，SiC（碳化硅）凭借高热导率、高刚性、CTE与硅芯片高度匹配的特性，成为破解CoWoS热机械双重瓶颈的关键材料，有望以热扩散层、热承载层、结构支撑层渐进导入CoWoS，充分发挥材料优势并降低工艺适配难度。大尺寸CoWoS与SiC材料双向赋能，共同支撑AI算力持续跃升，具备SiC衬底、热工程方案、高精度封装装备的环节优先受益。

公司方面，据上证报表示，

天岳先进：公司为全球碳化硅衬底龙头，核心受益于能源变革与AI算力需求高速增长。

晶升股份：公司是国内碳化硅单晶炉主要厂商之一，客户覆盖碳化硅衬底的国内龙头及主流企业，下游客户已向台积电送样。

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