隔夜美股NAND存储公司一度大涨，闪迪、西部数据等涨超10%。
据韩国《亚洲经济》等媒体报道，被业界誉为"HBM之父"的韩国科学技术院（KAIST）教授Joungho Kim近日预言：当前由英伟达主导的GPU中心化AI架构，终将被以内存为核心的新架构所取代。
Kim指出，从生成式AI迈向智能体AI（Agentic AI），系统需同时处理海量文档、视频及多模态数据，为保障速度与精度，内存带宽和容量必须提升最高1000倍，若输入规模扩大100至1000倍，内存需求总量膨胀幅度或高达100万倍。
他提出的下一代方案是HBF（高带宽闪存）：以堆叠NAND替代DRAM，构建大容量长期记忆体，容量远超现有HBM上限。 据Kim预测，HBF工程样品预计将于2027年前后出现，谷歌、英伟达或AMD最早可能在2028年采用该技术。SK海力士已于今年2月联合闪迪成立HBF标准化联盟，并在IEEE发表论文提出将HBM与HBF并排部署于GPU旁侧的"H3"架构。
另一方面，与此同时，谷歌推出TurboQuant内存压缩算法，可将AI推理过程中KV cache压缩至少6倍、精度零损失，导致全球存储股短期下跌。谷歌TurboQuant压缩技术引发市场对存储需求收缩的担忧，但国泰海通证券认为中短期内不改存储短缺趋势：一是目前原厂产能几近订满，尤其服务器方面；二是该算法仅针对推理环节且为实验室数据，推理成本下降反而可能打开更大市场空间。
此外，国联民生进一步指出，NAND价格变动通常滞后DRAM约半年，本轮DRAM涨价开启于2025年二季度，NAND涨价开启于2025年四季度，目前仍处于价格上行通道。以现货价格为例，截至2026年3月16日，NAND Flash较2025年最低点上涨166%，而DDR5、DDR4同期涨幅分别高达747%和2298%，NAND仍有显著补涨空间。
公司方面，据上市公司互动平台、公告及券商研报表示，
江波龙：公司是国内规模最大的综合性存储模组厂商，产品覆盖NAND Flash及DRAM存储产品，并推出了多款高速企业级eSSD产品。
东芯股份：专注利基型NAND芯片设计，产品应用于工业、物联网等细分场景。
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