1月25日，据韩国媒体报道，三星电子在今年第一季度将NAND闪存的供应价格上调了100%以上，这一涨幅远超市场此前预期，凸显了当前半导体市场严重的供需失衡现状。
报道称，三星已于2025年年底完成与主要客户的供应合同谈判，1月起正式实施新价格体系，目前已启动二季度价格谈判，市场普遍预计涨势将延续。这一消息标志着存储行业全面进入涨价上行周期，对全球半导体产业链及A股相关标的将产生深远影响。
招商证券表示，截至2026年1月，全球存储产业（以SSD/NANDFlash为主，兼顾DRAM）正处在一轮明显的涨价上行期，与过去“消费旺季—补库存”式的短周期波动不同，本轮更像结构性紧缺。
此次NAND涨价并非孤立事件，核心源于供需两端的剧烈失衡。需求端，AI技术的爆发式增长成为核心驱动力，生成式AI向代理型系统进化带来海量数据存取需求，显著推升高IOPS企业级SSD需求；同时“端侧AI”落地倒逼手机、PC等终端升级高容量存储。
供给端，头部厂商此前投资保守，未进行大规模扩产，叠加制程升级带来的产能置换效应，有效供给严重不足。东方证券指出，AI需求推动下，NAND与SSD供不应求有望持续，行业供需缺口短期内难以填补。中银国际补充道，全球存储三大原厂短期内扩产有限，模组厂普遍面临颗粒短缺压力，传统应用供货量仅能满足五成至七成需求。
此外，随着业绩报告期临近，存储行业将迎来密集财报催化。招商证券提示，需重点关注行业内企业财报表现，涨价对盈利的提振效果将在财报中集中体现，成为行业估值修复的重要支撑。
最后，国产大厂在本轮行业周期中迎来关键机遇期。全球供应紧张背景下，国产厂商扩产动力充足，技术突破速度加快。中银国际表示，国产“两存”厂商在3DNAND、HBM等前沿技术领域奋起直追，部分产品性能已达国际先进水平，借助产能扩张与技术升级，国产厂商市场份额有望快速提升。
TrendForce预测，2026年全球存储器产业产值将达5516亿美元，NANDFlash年产值增率将达112%，行业市场空间广阔。展望未来，在AI服务器、高效能运算等需求支撑下，存储行业涨势有望延续至2027年。
公司方面，据上市公司互动平台表示，
大为股份：公司表示主要产品目前覆盖DDR3、DDR4、LPDDR4X商规/宽温级、DDR5等DRAM产品。
强一股份：公司已经实现面向HBM、NORFlash的2.5DMEMS探针卡的验证以及面向DRAM、NANDFlash的2.5DMEMS探针卡样卡研制。
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