存储短缺白热化,科技巨头开始驻韩"抢芯"


微软、谷歌等巨头驻韩争夺产能,叠加头部厂商产能倾斜,存储芯片涨价周期延续。今日重要性:✨

据首尔经济日报报道,随着全球AI算力竞争白热化,HBM(高带宽内存)等高性能内存成为关键战略资源。微软、谷歌、Meta等科技巨头已将采购核心团队常驻韩国,全力争夺三星和SK海力士的有限产能,而两大韩企先进产线已处于满负荷运转状态,难以满足全部需求。为强化供应链优势,科技公司正加速将采购与供应链管理岗位向亚洲转移,招聘兼具技术与商务能力的专家。

谷歌近期已解雇部分采购负责人,原因是未能提前签订长期协议导致供应链风险。目前谷歌约60%的TPU所需HBM由三星供应,其追加供货请求遭SK海力士和美光拒绝。微软采购高管近期访韩谈判时,因供应商无法满足供货条件而愤然离席,凸显全球存储芯片供应的紧张态势。

存储芯片涨价周期自2025年三季度启动,三星、SK海力士、美光三大巨头集体上调DRAM及NAND Flash合约价,涨幅最高达60%。这一轮涨价源于AI服务器与智能手机的双重需求共振,叠加头部厂商产能向高端产品倾斜导致的供需缺口,与此前消费电子主导的周期存在本质差异。

爱建证券表示,本轮存储芯片涨价由AI服务器需求爆发与智能手机配置升级共同驱动,预计涨价周期将延续至2026年。

其指出,HBM作为AI服务器核心组件,2024年全球市场规模达56.1亿美元,预计2034年将增长至570.9亿美元,复合增长率达26.1%,技术迭代向更高带宽、更大容量推进,头部厂商已启动HBM4量产准备。

产业链方面,存储芯片涨价已传导至HBM、存储模组、车规级存储等领域,涵盖芯片设计、封测、设备材料等多个环节,国内存储产业链齐全,有望在本轮超级周期中快速发展。

据上市公司公告、互动平台及券商研报表示,

德明利:深耕存储行业多年,以主控芯片为核心构建存储解决方案,作为存储模组企业,有望快速兑现存货涨价与补库共振的短期红利。

兆易创新:同时布局NOR/NAND/DRAM三大存储品类,是全球排名靠前的无晶圆厂Flash供应商。

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