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截止周五收盘，上证指数涨0.71%，深证成指涨2.02%，创业板指涨3.57%，北证50涨1.15%。沪深京三市全天成交额19916亿元，较上日放量3309亿元。全市场超3000只个股上涨。板块题材上，存储芯片、算力硬件、商业航天、军工装备、光刻机、人形机器人概念股涨幅居前。
本周周初分享的光模块新逻辑与存储涨价可持续性得到了市场认可，两板块周内持续上涨。
1、技术迭代、成本控制与产品结构优化三者共同驱动光模块的盈利逻辑
国盛证券研报指出，在AI算力需求持续爆发的驱动下，光模块市场正经历着高速增长与技术迭代的双重变奏。市场担忧的价格变动早已不是简单的供求博弈，而是技术迭代、成本控制与产品结构优化三者共同驱动。
1）市场对光模块价格变动存在诸多误解
市场对光模块价格变动存在诸多误解，认为光模块价格会随着供需关系、产能周期发生变动。光模块不像面板、电子元器件这样的标准元器件是大宗商品，而是典型的技术驱动型产品，其价格变动遵循着独特的“新品高毛利→规模化后平滑下降→技术迭代”的行业健康规律。每一代新产品上市初期都因技术壁垒而享有溢价，随后随着量产规模扩大、良率提升和成本优化，价格呈现渐进式、可预测的平滑下降。
800G和1.6T光通信的迭代周期从传统3-4年缩短至1-2年，800G光模块已实现大批量出货，1.6T光模块开始逐步放量，预计2026年将开始规模商用。这种持续的技术演进使得产品价格下降成为技术普及和成本优化的必然结果，这种“价格有序下降”的模式正是行业健康发展、技术持续进步的表现。
光模块的降价并不必然导致企业盈利能力下滑。相反，在健康的降价过程中，领先的光模块企业能够维持甚至提升其盈利水平。
对比国内海外链光模块龙头五年内的毛利率和净利率，可以发现新易盛、中际旭创毛利率、净利率均在震荡中提升。
支撑这一现象的核心商业逻辑在于，规模效应、工艺改进和供应链优化带来的成本下降速度，能赶上甚至超过产品价格的下降速度。因此，单品的利润空间得以维持，而企业的总利润则随着出货量的飙升而显著增长。在400G向800G升级的产业周期中，光模块行业龙头企业能够通过持续的技术迭代和产品升级，有效抵御甚至超越传统“降价”对盈利的侵蚀，不仅提升了收入规模，更实现了盈利能力的同步增强。
2）产品升级与综合实力才是光模块的核心壁垒
光模块行业的竞争焦点，早已不在单一产品的价格上，而是围绕持续创新和整体解决方案的综合较量。产品升级带来的价值增长与多维能力构建的护城河，共同构成了企业的核心竞争力。
产品升级，价值增长的核心引擎：光模块行业的核心增长逻辑并非依靠旧型号提价，而是通过技术迭代推出更高速率、更低功耗的新产品，从而打开新的价值空间。
技术路线的多元化布局：光模块龙头厂商通过在硅光集成、CPO（光电共封装）、LPO（线性直驱）技术等前沿科技的提前布局，不断进行产品方案创新，构筑差异化竞争壁垒。
客户结构与产能布局，可持续发展的保障：头部光模块厂商与海外云厂商及AI芯片龙头建立了长期、深度的战略合作关系，并实现了产能全球化布局。
综上来看，光模块企业的盈利能力不由产品价格决定，而与技术迭代能力、成本控制效率和产品结构优化有强相关性。技术领先、客户优质、产能全球化的光模块龙头企业将保持强劲的盈利能力和竞争优势，持续受益于全球数据中心建设与升级浪潮。
持续关注光模块行业龙头中际旭创、新易盛等，及光器件“一大五小”天孚通信+仕佳光子/太辰光/长芯博创/德科立/东田微。
2、AI浪潮驱动存储涨价新周期，四季度存储价格持续上行
天风证券研报指出，本轮存储超级周期的本质是从“周期”到“结构”的转变。AI技术的蓬勃发展带动数据中心大容量存储需求高速增长，叠加智能手机、智能汽车等智能终端渗透率的不断提升，共同推动本轮存储器技术创新与市场扩容。
以往芯片行业价格上涨、交期延长主要是因为供给端减产引发短期反弹，而当前由AI驱动的“超级周期”具有显著的结构性特征。
1）NAND与DRAM普涨，四季度存储价格持续上行
存储芯片主要分为两大类：一类是动态随机存取存储器DRAM，它类似大脑的笔记本，容量大，可以用来临时保存和调用数据；而在DRAM的类别里，还有一种采用特殊封装形式的高性能芯片，高带宽存储器HBM，它就像大脑的短时记忆，速度极快，专门用于AI的训练和推理，因此也格外受到市场追捧；第二类则是NAND闪存，它类似大脑的档案库，也就是长期记忆，负责存放海量数据和模型参数。
根据闪存市场，上月以来，在原厂控货+涨价双重驱动下，现货FlashWafer价格强势上涨，一个半月时间里，1TbFlashWafer价格累计涨近15%，512GbFlashWafer更是涨超20%。本周行业SSD和内存条全面涨价。服务器内存条报价同样大幅上扬，具体来看，DDR4RDIMM16GB3200涨66.67%至$150.00。
近日现货贸易端包括NAND和DRAM在内的所有资源价格快速上涨。在上游资源日益走高且供应收紧的影响下，相对应的产品生产成本大幅走高，服务器、手机、PC等各应用端的存储成品全面掀起涨价潮。Trendforce集邦咨询预估第四季度整体一般型DRAM(ConventionalDRAM)价格将季增8-13%，若加计HBM，涨幅将扩大至13-18%。预估NANDFlash第四季各类产品合约价将全面上涨，平均涨幅达5-10%。
2）国际巨头转向高端产品，国产存储迎来替代窗口
目前从利基市场到主流应用，国产存储芯片获全球客户青睐。由于三星、美光、海力士等头部公司加速向新制程节点的HBM、DDR5、LPDDR5等产品迁移，放弃或减少利基型产品的生产，带来行业竞争格局的变化和国内厂商份额提升的机会。
随着AI大模型训练与数据中心建设成为核心驱动力，国产存储芯片在企业级市场快速渗透。长江存储的企业级SSD已广泛用于阿里云、腾讯云等国内主流云服务商。在消费级市场，国产存储芯片凭借性价比优势快速抢占份额。
3）国内厂商扩产提速，四季度需求与开工稳健复苏
四季度国内存储公司有望继续受益于“价格回升+国产替代”的双重驱动，我们预计第四季度国内存储芯片公司的需求、订单及开工情况将呈现稳健复苏的态势。
目前，长江存储正推进三期扩产计划：2025年底前将月产能提升至15万片，2026年启动三期招投标，分三阶段扩产5-6万片，2028年三期达产后总产能将达30万片/月，目标占据全球15%的NAND市场份额。长鑫存储DRAM产量预计达273万片/年，成为全球第四大DRAM厂商，仅次于三星、SK海力士、美光。其二期工厂于2025年Q4试生产，新增产能8万片/月，聚焦15nm以下先进制程；三期工厂已启动设备采购，目标2026年扩产6-7万片/月，设备采购需求约60亿美元，国产化率超50%。
4）AI存储革命已至，“以存代算”开启存储新纪元，带动SSD需求增速高于传统曲线
为突破算力瓶颈与“存储墙”制约，“以存代算”作为一种颠覆性技术范式应运而生。该技术通过将AI推理过程中的矢量数据（如KVCache）从昂贵的DRAM和HBM显存迁移至大容量、高性价比的SSD介质，实现存储层从内存向SSD的战略扩展，而非简单替代。其核心价值在于显著降低首Token时延、提升推理吞吐量，并大幅优化端到端的推理成本，为AI大规模落地提供可行路径。
5）相关标的
存储模组与主控：江波龙、德明利、佰维存储、朗科科技、联芸科技、万润科技等；
存储芯片：兆易创新、普冉股份、北京君正、东芯股份、恒烁股份、澜起科技、聚辰股份等；
存储分销与封测：香农芯创、深科技、太极实业、中电港等
研报来源：
1、国盛证券，宋嘉吉，S0680519010002，如何看待当下的光模块行情？2025年10月19日
2、天风证券，李泓依，S1110524040006，AI浪潮驱动存储涨价新周期，国产替代势如破竹。2025年10月20日
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