供给缺口持续存在，美股存储龙头再度大涨，集体创下历史新高

隔夜美股存储公司再度大涨，美光科技、闪迪涨超5%，西部数据超涨4%，均创历史新高。

此前SK海力士高层发布乐观消息，强调“AI订单只会越来越多”，2030年前有望保持高速增长。东方证券认为，AI算力需求持续增长下，HBM出货动能强劲，全球DRAM市场规模将持续扩张，利好存储产业链。而随三大原厂DDR4停产进展，利基DRAM供给缺口持续存在，中国大陆存储原厂和利基存储设计公司有望持续受益。

此外，国盛证券表示，高密度DRAM架构最具潜力的长期解决方案之一。头部DRAM厂商持续升级DRAM制程，但平面形式下进一步缩小制程已接近极限，3DDRAM应运而生。实现有限面积的高效利用，存储单元布局需突破传统水平排列模式，核心路径分为两类：一是将单元结构垂直化以压缩占用空间，二是借鉴建筑堆叠逻辑实现单元阵列的立体排布。4F2结构是单元垂直化的关键技术方案，三星正在开发的垂直通道晶体管（VCT）DRAM，以及SK海力士推进的垂直栅极（VG）DRAM，均以4F2为核心技术架构。

此外，从产业趋势来看，定制化存储逐渐成为端侧AI的优选方案，如南亚科定制化存储目标于2025年底完成验证、2026年开始导入量产，目标应用涵盖AI服务器、AIPC、AI手机、AI机器人与AI汽车；兆易创新控股子公司青耘科技紧贴客户需求，从容量、带宽、能耗等方面为客户提供更为定制化的解决方案，重塑端侧存储新形态。公司定制化存储在AI手机、AIPC、汽车、机器人等若干领域的客户拓展进展顺利。

公司方面，据甬兴证券表示，

HBM：壹石通、联瑞新材等；

存储芯片：恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。

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