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东方证券研报指出，5月份存储器半导体DRAM和NAND闪存的月平均价格连续两个月上涨，价格上涨趋势有望持续到第三季度。
1、AI浪潮驱动行业上行，存储国产化前景广阔
存储需求回暖，5月份存储器半导体DRAM和NAND闪存的月平均价格连续两个月上涨，价格上涨趋势有望持续到第三季度：NANDFlash方面，二季度价格上涨受国际形势变化影响，三季度企业级SSD需求增长成主要价格支撑；DRAM方面，受原厂停产计划影响补货需求，DDR4系列有望大幅上涨。
AI已成为存储需求增长的关键动力，据PrecedenceResearch研究报告，全球AI驱动存储市场预计将从2024年的287亿美元，激增至2034年的2552亿美元，年复合增长率达24.4%。中国存储产业链有望受益于AI自主可控政策双重驱动，国内存储IC公司在利基DRAM、NAND和NORFlash领域持续开拓，国产化前景广阔。
2、DRAM：利基市场格局重塑中，3DDRAM走向产业
利基DRAM领域，原厂产能转向DDR5和HBM带来供应收缩，而消费电子市场和行业市场对DDR4仍保持可观需求，供需不平衡下利基DRAM价格持续高企，Tier2厂商有望快速提升市场份额和盈利能力。
另一方面，为满足高速高带宽存储需要，堆叠DRAM成为新趋势，在各大原厂持续迭代的HBM（高带宽存储）技术外，依托混合键合等先进封装技术，3DDRAM产业化进程加速。
定制化存储在提升存储性能同时，可实现更低功耗、更高集成度和更强散热能力，为端侧AI提供具有适配性更强的存储方案，市场规模有望随端侧AI渗透率提升快速成长。
3、Flash：AI驱动容量和总需求上升，企业级市场增长迅速
AI技术发展促使Flash市场容量和总需求显著上升，企业级市场尤为突出。在NANDFlash领域，数据中心和服务器对存储性能和容量的需求激增，驱动企业级SSD市场快速增长，国内存储模组厂市场份额有望提升。
受益于物联网、汽车电子、5G等新兴领域的发展和端侧AI的拉动，NORFlash市场有望保持增长。国内企业通过提供高性价比产品并抓住市场机遇进入市场，不断升级产品容量和工艺制程，逐渐形成各自的竞争优势。
4、相关标的
存储需求回暖，AI服务器和AI终端有望持续带动存储需求增长，同时叠加国产替代机遇，看好存储产业链。
存储IC设计：兆易创新、北京君正、东芯股份、复旦微电、紫光国微、普冉股份、聚辰股份、恒烁股份等；
存储互联、控制等芯片：澜起科技、联芸科技；
存储模组：德明利、佰维存储、朗科科技、江波龙、万润科技；
封测：深科技；
系统级解决方案：同有科技等。
研报来源：东方证券，蒯剑，S0860514050005，电子行业深度报告：部分存储涨价，AI和国产化驱动行业增长。2025年6月21日
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