据上证报报道,TrendForce最新内存现货价格走势报告显示,DRAM方面,现货市场成交持续增加,合约市场对SK海力士DDR5产品需求旺盛,DDR5货源紧俏,价格上涨。NAND Flash方面,本周Wafer现货市场延续涨价态势,后续Wafer价格有望持续上涨,512GbTLC晶圆现货价格本周上涨2.33%,报2.5美元。
AI大模型训练对内存带宽需求呈指数级增长,传统DDR内存已无法满足需求。HBM(高带宽内存)通过3D堆叠技术将DRAM芯片垂直堆叠,最新的HBM3E可实现高达819GB/s的带宽,较DDR5提升5倍以上。在AI服务器中,HBM的成本占比约为20%-30%,仅次于用于计算的AI芯片。
研究机构表示,存储芯片行业正处于技术创新与需求复苏的双重驱动期,2025年全球存储市场预计仍会维持双位数增长,预期将会突破2300亿美元。伴随着巨头厂商减产、AI转向推理市场刺激下游需求、技术持续创新三重因素下,存储芯片市场会出现持续性复苏。
公司方面,据上证报表示,
佰维存储:是国内存储模组龙头,持续加码布局先进封装技术;
兆易创新:DRAM产品品类持续扩张,陆续推出DDR3L、DDR4、LPDD4x产品,目前已经覆盖DDR3L1Gb-8Gb、DDR44Gb/8Gb、LPDDR 4x16-32Gb,覆盖度持续提升。
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