据上证报报道，TrendForce最新内存现货价格走势报告显示，DRAM方面，现货市场成交持续增加，合约市场对SK海力士DDR5产品需求旺盛，DDR5货源紧俏，价格上涨。NAND Flash方面，本周Wafer现货市场延续涨价态势，后续Wafer价格有望持续上涨，512GbTLC晶圆现货价格本周上涨2.33%，报2.5美元。
AI大模型训练对内存带宽需求呈指数级增长，传统DDR内存已无法满足需求。HBM(高带宽内存)通过3D堆叠技术将DRAM芯片垂直堆叠，最新的HBM3E可实现高达819GB/s的带宽，较DDR5提升5倍以上。在AI服务器中，HBM的成本占比约为20%-30%，仅次于用于计算的AI芯片。
研究机构表示，存储芯片行业正处于技术创新与需求复苏的双重驱动期，2025年全球存储市场预计仍会维持双位数增长，预期将会突破2300亿美元。伴随着巨头厂商减产、AI转向推理市场刺激下游需求、技术持续创新三重因素下，存储芯片市场会出现持续性复苏。
公司方面，据上证报表示，
佰维存储：是国内存储模组龙头，持续加码布局先进封装技术;
兆易创新：DRAM产品品类持续扩张，陆续推出DDR3L、DDR4、LPDD4x产品，目前已经覆盖DDR3L1Gb-8Gb、DDR44Gb/8Gb、LPDDR 4x16-32Gb，覆盖度持续提升。
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