被誉为“新一代HBM”，英伟达发力新型存储

据集微网2月17日报道，英伟达正在与三星电子和SK海力士等主要存储半导体公司进行秘密谈判，合作将“SOCAMM”新型内存标准商业化，该标准被誉为“新一代HBM”。

资料显示，SOCAMM是指SOC附加内存模块，是一种尖端的DRAM模块，旨在提高个人AI超级计算机的性能。SOCAMM的突出特点之一是其可拆卸性，可轻松更换和升级，从而促进持续的性能改进。此外，通过集成以低功耗和高能效而闻名的LPDDR5X DRAM，它与小型PC和笔记本电脑中使用的现有DRAM模块相比具有卓越的性价比。

有韩媒表示，在TO B业务上，英伟达专注于服务器GPU，使用的是HBM。而英伟达同样要处理普通消费者的设备端AI，因此SOCAMM如果成功，有希望像HBM一样产生巨大的影响。

集微网指出，SOCAMM的出现预计将对整个半导体行业产生连锁反应，不仅影响三星电子和SK海力士，还会影响Simmtech和TLB等基板公司，据报道，这些公司正在合作为SOCAMM供应基板。业内人士透露，“英伟达和存储公司正在交换SOCAMM原型并进行性能测试”，并可能在2025年底进行量产。

此外，分析称该产品是利用先进的3D封装工艺，从而大幅提高了单位体积内的存储密度。

公司方面，据上市公司互动平台表示，

德邦科技：公司DAF/CDAF膜、AD胶、Underfill、TIM1等多款产品可应用于2.5D封装、3D封装等先进封装工艺。

芯源微：临时键合机、解键合机是2.5D、3D封装及HBM工艺的重要核心设备，产品市场空间广阔。公司临时键合机、解键合机整体已达到国际先进水平。

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