据新华社2月2日报道,中国科学院微电子研究所与中国科学院空间应用工程与技术中心合作研制的碳化硅(SiC)载荷系统,已通过天舟八号货运飞船成功进入太空,并在空间站轨道上完成了科学试验。此次试验主要验证了国产高压抗辐射碳化硅功率器件的性能,并在航天电源系统中进行了应用测试。经过一个多月的在轨加电试验,碳化硅载荷测试数据正常,成功进行了高压400V碳化硅功率器件的在轨试验与应用验证,其静态和动态参数均符合预期。
业内专家指出,这一成果标志着我国在第三代半导体材料领域的重大突破,有望推动航天电源系统的升级换代,为未来的探月工程、载人登月及深空探测等领域提供新一代功率器件支持。
中证报表示,目前,SiC已成为下一代功率器件竞争的制高点,其应用潜力不仅在航天领域,在高速列车、风力发电及智能电网等领域,SiC也独具优势。随着技术的不断进步和生产成本的逐步降低,碳化硅有望在未来取代传统的硅基半导体,成为半导体材料领域的重要力量,产业链有望受益。
公司方面,据中证报表示,
新洁能:公司此前完成了1200V及750V SiC MOSFET系列产品的开发。
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