AI催生巨量需求，HBM明年出货有望增七成

TechInsights 12月25日的报告指出，因AI兴起，尤其在机器学习和深度学习等数据密集型应用中，对高带宽内存需求空前高涨。

预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因数据中心和AI处理器越来越依赖这种类型存储器处理低延迟大量数据。HBM需求激增预计将重塑DRAM市场，制造商将优先生产HBM，而非传统DRAM产品。

点评：德邦证券指出，HBM缓解内存墙问题，对AI产业至关重要。HBM的关键在于先进封装。HBM上部分由多层DRAM堆叠组成，不同DRAM芯片之间以及DRAM和逻辑芯片之间利用TSV(硅通孔)和微凸块(Micro bump)实现通道连接。随着海外限制政策或持续收紧，国内HBM产业链有望加速发展，封测厂、设备厂商和材料厂商将持续受益。

另外据华金证券，HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片，而HBM4基础裸片将采用台积电3nm的先进逻辑工艺，以推动性能和能效进一步提升。随着HBM堆叠层数逐渐增加，存储厂商正积极推动在HBM4中引入无助焊剂键合技术，以进一步缩小DRAM堆叠间距。混合键合技术可最大限度地缩小DRAM的间隙，且没有微凸块电阻，因此信号传输速度更快，热量管理更为高效。

公司方面，据上市公司互动平台表示，

赛腾股份：公司具备HBM检测设备量产能力。

飞凯材料：环氧塑封料是HBM存储芯片制造技术所需要的重要材料，公司生产销售EMC环氧塑封料，主要应用于芯片封装和分立器件领域。

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