华为发布芯片技术专利，或将引领HBM发展趋势

据中证报消息，国家知识产权局最新信息显示，华为技术有限公司取得一项名为“一种混合键合结构以及混合键合方法”的专利，授权公告号CN 112236849 B。

混合键合（Hybrid Bonding）是一种新兴的半导体封装技术，可以实现高性能、高密度和高可靠性的封装连接。混合键合技术对于高带宽内存 （High Bandwidth Memory，HBM） 很有意义，是HBM领域的未来发展趋势。随着摩尔定律逐渐进入其发展轨迹的后半段，芯片产业越来越依赖先进的封装技术来推动性能的飞跃。混合键合技术以其革命性的互联潜力，正成为行业的新宠。值得注意的是，据中证报援引外媒消息，美国商务部工业与安全局（Bureau of Industry and Security）将于12月6日公布一份禁令，围绕HBM类型进行限制，2025年1月2日正式生效。

另外中证报援引业内观点称，HBM被视为人工智能和深度学习领域的理想解决方案。当前全球市场中有超过一半的深度学习应用都是建立在英伟达显卡基础之上的，而英伟达则是HBM芯片的最大买家。美国此举意图限制中国获得更加先进的内存技术，进一步限制中国在人工智能和深度学习领域的发展。华为在包括混合键合等芯片技术方面的研发和创新，对于突破国外技术封锁，实现半导体产业的技术突破和自主可控，推动人工智能产业乃至整个高性能计算行业的发展具有重大意义。

公司方面，据中证报表示：

飞凯材料：环氧塑封料是HBM存储芯片制造技术所需要的重要材料，公司生产销售EMC环氧塑封料，主要应用于芯片封装和分立器件领域。公司明确表示，将积极配合客户开发HBM制程相关材料，推进先进封装领域的研发布局和产品升级。

中京电子：公司表示，HBM使用先进3D堆栈封装工艺对DRAM进行封装，其底层仍需使用IC载板封装材料，公司将积极跟进封装工艺发展对封装材料的开发与应用。

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