三大内存厂商HBM5全面应用混合键合工艺，有望成为未来主流堆叠技术

据集邦咨询（TrendForce）10月30日最新报告称，为了进一步提升未来HBM（高带宽存储器）产品的性能，SK海力士、三星电子、美光三家存储器厂商正在考虑从16层堆叠HBM4上引入Hybrid Bonding（混合键合）等先进封装技术，并确定在20层堆叠HBM5中使用。 

HBM已成为当前高性能计算、人工智能等领域的首选内存技术，当前AI高景气不断驱动HBM需求高增。HBM具有三大堆叠键合工艺：MR-MUF、TC-NCF与混合键合。

证券时报援引分析师观点称，混合键合摒弃了DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤，通过铜对铜的直接连接方式实现层间连接，不仅显著提升了信号传输速率，更好地满足了AI计算对高带宽的迫切需求，而且有效降低了DRAM层间距。在HBM行业龙头公司的推动下，混合键合有望迎来加速发展，成为未来HBM主流堆叠技术。 

公司方面，据证券时报表示，

拓荆科技：公司目前研制了两款混合键合设备，包括晶圆对晶圆键合产品和芯片对晶圆键合表面预处理产品，主要应用于晶圆级三维集成领域，这两款产品均已送至客户端验证，未来有望受益混合键合工艺在HBM上的应用。

迈为股份：公司今年新推出全自动晶圆临时键合设备和晶圆激光解键合设备，以及全自动混合键合设备等多款产品，将逐步推向市场。 

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