据上证报报道,SK海力士已经开始突破NAND闪存堆叠的限制,计划2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备,2026年二季度正式启动大规模生产,作为连接两个半导体晶圆的下一代封装技术。
随着人工智能相关半导体对高带宽存储(HBM)需求的推动,NAND闪存市场也感受到了这一趋势的影响。存储巨头三星和SK海力士都在加紧努力,提升NAND产品的性能和容量。
研究机构预计,2024年的DRAM内存、NAND闪存行业收入将分别大幅增加75%、77%。主流存储产品涨价有望传导至利基市场,当前MCU库存去化有望逐步进入尾声,模拟芯片库存已回归正常水位,功率、碳化硅、代工厂、封测厂、AI服务器等都有持续向好迹象。
公司方面,据上证报表示,
兆易创新:公司主营存储器、微控制器和传感器,DRAM产品业务持续拓展。
佰维存储:公司主要从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售。
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