HBM需求旺盛，存储巨头扩大配套DRAM产能，行业涨价潮有望持续

2024/06/17 23:36

堆叠于HBM2中的DRAM数量为4-8个，HBM3／3E则增加到8-12个。今日重要性：✨

据DIGITIMES 6月17日报道，为消化新一代HBM需求，SK海力士正在扩充第五代10纳米级（1b）DRAM产能，规划到2024年底将月产能提高至9万片。

存储大厂威刚近期也表示，看好AI应用将推升整体存储器需求，不仅AI服务器，AIPC今年第四季正式量产，明年出货量也有望呈倍数增长，将带动HBM与DDR5需求大幅增加。随着各项AI应用需求增加，不仅今年DRAM合约价逐季上扬，DRAM现货价也有望在8月以后与合约价回归齐涨模式。

国金证券指出，随着HBM历次迭代，HBM中的DRAM数量也同步提升，堆叠于HBM2中的DRAM数量为4-8个，HBM3／3E则增加到8-12个，HBM4中堆叠的DRAM数量将增加到16个。在HBM对DRAM先进制程造成的排挤效应下，有望推动主流DRAM持续涨价。

公司方面，华福证券表示，

海力士分销：香农芯创等

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