光刻胶是在光刻环节用的，和光刻机、掩膜版配合使用。
先在硅片上均匀地涂上一层光刻胶，然后让光刻机发出的激光透过掩膜版照到光刻胶上，被掩膜版挡住的地方不会被照到，没有挡住的地方会被照到，这里的光刻胶会被溶解掉，露出下面的硅片。
然后就可以进入下一道工序了，比如刻蚀，没被光刻胶覆盖的区域会被刻蚀掉，而被光刻胶覆盖的区域则得到保护。
随着芯片制程不断缩小，光刻工艺的曝光波长也持续缩短，对应的光刻胶也在不断升级。
G线光刻胶，曝光波长436nm，适用技术节点0.5μm以上，应用场景是成熟制程、功率器件、MEMS。
I线光刻胶，曝光波长365nm，适用技术节点0.35-0.5μm，应用场景是电源管理IC、MCU、显示驱动芯片。
KrF光刻胶，曝光波长248nm，适用技术节点0.13-0.25μm，应用场景是逻辑芯片非关键层、DRAM、CIS、嵌入式闪存。
ArF干法光刻胶，曝光波长193nm，适用技术节点65-90nm，应用场景是逻辑芯片、存储芯片。
ArF浸没式光刻胶，曝光波长193nm（浸没），适用技术节点28-45nm，应用场景是7nm以上制程，是当前的量产主力。
EUV光刻胶，曝光波长13.5nm，适用技术节点2-7nm，应用场景是7nm及以下最先进制程。
那么问题来了，国内有哪些半导体光刻胶相关的公司？
彤程新材，G线、I线、KrF、ArF干法、ArF浸没式，全品类量产，营收领先同行，已有EUV光刻胶相关技术储备并送样验证。
鼎龙股份，KrF、ArF干法、ArF浸没式三类均实现批量订单，不含G/I线，国内唯一实现"树脂→光敏剂→光刻胶"全链条自主可控的企业。
南大光电，聚焦ArF干法、ArF浸没式，国内最早实现28nm ArF量产的企业，7nm制程验证持续推进。
上海新阳，G线、I线、KrF、ArF干法、ArF浸没式，全品类覆盖，ArF浸没式光刻胶已获头部客户订单，同步推进EUV光刻胶研发。
晶瑞电材，G线光刻胶国内市占率第一，I线光刻胶已进入中芯国际供应链并批量供货，KrF光刻胶已实现量产。
华懋科技，通过参股徐州博康布局光刻胶，具备单体→树脂→光刻胶全产业链能力。
参考资料：国投证券《高端国产替代系列：光刻胶——半导体制造核心材料，国产替代突围在即》
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