磷化铟化学式是InP，属于第二代半导体材料。
第一代半导体材料就是硅、锗这样的单元素半导体，不过半导体材料的代际划分不是"一代更比一代强"的简单替代关系，而是针对不同应用场景的需求而差异化发展。
相比于硅的间接带隙，磷化铟是直接带隙，光电转换效率极高，可直接发光，适合制造激光器、探测器等光电器件。
而且磷化铟的电子迁移率远高于硅，这使得磷化铟制成的器件能够实现超高频率、超高速率的信号处理能力。
所以磷化铟最核心的应用就是光模块，光模块里负责光电转换的光芯片就是用磷化铟做的，尤其是800G/1.6T这些高频高速的光模块。
当然，磷化铟也不是没有问题，最大的问题就是成本高、难度大，产业成熟度低，硅片已量产12英寸，而磷化铟衬底主流4-6英寸，最大8英寸。
目前日本和美国企业主导了全球磷化铟衬底市场，国内起步较晚，但近年来发展迅速，正逐步打破国外垄断。
那么问题来了，国内有哪些磷化铟相关的公司？
云南锗业，国内磷化铟衬底领军企业，已实现4英寸磷化铟单晶片技术突破并具备批量生产能力，6英寸小批量交付。
光智科技，具备InP单晶生长、衬底加工、外延片制备全链条能力，在低位错、大尺寸磷化铟方面有技术突破。
博杰股份，通过参股珠海鼎泰芯源切入磷化铟衬底领域，已建成国内首条自主知识产权InP衬底生产线。
三安光电，磷化铟外延生长+芯片代工制造，而非衬底生产，可生产InP基激光器、探测器等光芯片。
海特高新，磷化铟芯片代工制造，而非衬底生产，可支持制造磷化铟基激光器、探测器、功率放大器等器件。
有研新材，国内领先的水平砷化镓单晶供应商，在磷化铟领域有一定技术储备，但非当前核心产品。
宿迁联盛，6月8日公告合资建厂，跨界进入磷化铟领域，一期12万片/年，二期40万片/年。
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