据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将合作使用新的先进封装技术“混合键合”。
行业分析人士表示，当三星NAND堆叠层数超过400层的时候，底部控制电路承受巨大压力，会影响NAND的可靠性。因此三星决定在V10产品上，使用存储单元与控制电路分别在不同硅片制造，然后再通过混合键合将其合并的技术路线。
存储核心技术之一
传统的二维芯片集成技术已逐渐接近物理极限。为了满足高算力、低功耗、高密度的需求，混合键合技术（Hybrid Bonding）应运而生，成为推动三维集成和异质集成的关键技术之一。
据国海证券和与非网，混合键合是一种先进的半导体封装技术，是指在一个键合步骤同时键合电介质和金属键合焊盘，属于无凸点永久键合的高密度互连技术。
它利用不同键合技术，在晶片和封装基板之间或者晶片内部实现互连，从而满足高性能集成电路对复杂互连结构的需求。
从2016年起，混合键合技术快速发展，成为半导体封装领域的关键技术。2016年，索尼率先在CMOS图像传感器中采用无凸点低温Cu-Cu混合键合技术，提升了图像传感器的性能。随后，SK海力士利用该技术开发了高带宽存储器（HBM）的晶圆对晶圆（W2W）堆叠，显著提高了存储器的带宽和性能。
2022年，英特尔展示了其Foveros Direct混合键合技术，能够实现10微米的互连节距和高密度互连，适用于高性能计算。2024年，AMD在其Instinct MI300系列芯片中采用混合键合技术，实现了3D VCache的堆叠，显著提升了缓存容量和计算性能。
国海证券表示，后摩尔时代，混合键合前景广阔。混合键合首先商用应用于CIS，后在3D NAND领域进入商业量产阶段，未来HBM有望成为混合键合未来重要市场。集邦咨询指出，随着对HBM产品日益增长的带宽需求，三大领先厂商SK海力士、三星和美光正在积极探索在HBM4 16hi产品中引入混合键合，并已确定在HBM5 20hi产品中大规模应用。
设备是核心环节
从市场规模来看，混合键合技术市场正以显著增速扩张，Business Research预计将从2024年的2亿美元攀升至2033年的7亿美元。
而设备市场作为核心环节，Business Research预计2030年需求总量预计达1400台，累计市场规模预计突破28亿欧元。这一增长主要由AI算力需求驱动，其在高密度集成、低功耗传输上的优势使其成为3D封装的关键技术，尤其在高性能计算和存储领域，如英特尔计划在2024年通过Foveros平台实现逻辑芯片与互连器的混合键合，海力士则拟在HBM4中率先应用该技术以突破16层堆叠瓶颈。
此外，疆亘资本指出，混合键合产业链竞争格局呈现全球化与本土化并进趋势。国际巨头如AMAT、ASMPT通过并购加速技术整合，而中国厂商拓荆科技、华卓精科已在关键设备领域取得突破，配合国家第三代半导体创新中心的建设，正逐步构建本土化供应链。
随着2030年全球数据中心能效需求提升至现有水平的10倍，混合键合作为实现“算力-功耗-体积”三角平衡的核心技术，将成为半导体产业持续进化的战略支点。
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