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截止周五收盘，上证指数涨0.34%，深证成指涨0.85%，创业板指涨0.7%，北证50涨0.39%。全市场成交额1.59万亿元，较上日成交额缩量1254亿元。钛白粉、乳业、商业航天等板块较为活跃。
本周周初梳理的谷歌产业链公司、碳化硅产业链，周内涨幅较好。原研报观点如下，供参考。
1、Gemini 3和Nano Banana接连爆火，算力需求每半年翻一倍，Google产业链核心公司全览
11月18日Google正式推出Gemin 3，随后推出Nano Banana Pro凭借惊艳的表现再次火爆出圈。谷歌AI基础设施负责人表示，谷歌必须“每6个月将算力容量翻倍”。梳理谷歌产业链核心供应商。
1）Gemin i3发布，Google加快赶超openAI
Gemini是Google推出的多模态语言生成模型。11月18日，Google正式推出Gemin i3系列人工智能（AI）模型，并同步上线Gemin i3Pro预览版。
Google在AI产业布局方面相对全面，Gemin i3补齐产品矩阵短板。
Google一直作为大模型第一梯队中的跟进者，在Bard、Gemini1.x和2.x等前期版本中均呈现跟随和追逐姿态，本次Gemin i3的推出，既相对于前期版本有明显提升，同时针对GPT-5.1、Claude4.5等竞品均表现出赶超乃至领先态势，标志着Google有望成为基础模型技术第一梯队领头羊角色。
2）Nano Banana Pro上线，多模态技术大踏步前进
11月20日，Google正式推出了全新图像生成与编辑模型Nano Banana Pro(Gemin i3ProImage)。
目前，Nano Banana Pro正逐步集成至谷歌多项主流AI工具中。Nano Banana Pro能力提升来自Gemin i3模型能力提升，多模态技术有望大踏步前进。
Nano Banana Pro的能力提升表明以GoogleGemin i3为代表的全球顶尖基础大模型技术在多模态领域大踏步前进，有望进一步带动多模态应用加速落地，并拉动算力相关需求扩容。
3）算力需求景气度有望持续
11月21日，谷歌云AI基础设施负责人Amin Vahdat在11月6日的全员大会上直言，谷歌必须“每6个月将算力容量翻倍”，未来4到5年的总体目标是实现“1000 倍能力提升”
伴随Google在基础大模型机多模态技术方面持续发力，其自身算力需求有望继续扩容。
4）谷歌链相关标的
谷歌(ALPHABET)-A；
光模块光器件：中际旭创、新易盛、天孚通信、源杰科技、仕佳光子、长芯博创、太辰光；
液冷：英维克。
2、新能源+AI+AR，下游全方位高速增长，5年需求量翻12倍，碳化硅或将出现巨大供需缺口
碳化硅作为第三代宽禁带半导体核心材料，凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率优、电子饱和漂移速度快等突出性能，正全面渗透新能源、AI、通信、AR四大高增长产业，其应用场景从功率器件延伸至散热材料、光学基底等领域，需求呈爆发式增长，行业即将进入高速发展期。
1）在新能源领域，SiC是实现高效节能的核心器件
新能源汽车领域，800V高压平台逐步普及，2025年渗透率已达11.17%，SiCMOSFET应用于主驱逆变器、DC-DC转换器等核心部件，可使整车能耗降低8%-10%。
据测算，2030年全球新能源车领域SiC衬底需求达432万片，中国328万片。
高压直流充电桩方面，政策推动下2027年将建成10万台大功率充电桩，SiC凭借耐高压特性成为达标关键，2030年全球SiC衬底需求51万片，中国29万片。
光储领域，SiC将提升光伏逆变器与储能变流器效率，2030年全球碳化硅衬底需求94万片，中国30万片。
预计2030年，全球“新能源车+充电桩+光储”对碳化硅衬底（6吋当量，若非特殊说明，下同）的需求量约577万片，CAGR~36.7%。
2）AI产业中，SiC迎来“功率+散热”双重增长机遇
数据中心方面，算力提升推动机柜功率密度飙升，SiC应用于UPS、HVDC、SST等电源设备，2030年全球电源领域衬底需求73万片，中国20万片。
同时，SiC作为先进封装散热材料，解决GPU高发热难题，2030年全球AI芯片中介层所需衬底需求约620万片，中国173万片；若在现有技术路径下，CoWoS工艺中，基板和热沉材料也采用SiC，则AI芯片散热领域衬底空间将增加2倍。
通信射频领域，5G-A与6G推动射频器件升级，GaN-on-SiC方案凭借优异散热与高频性能成为主流。2030年全球射频用半绝缘型SiC衬底需求量达17万片，中国占比60%，约10万片。
3）AR领域应用
AR产业中，SiC高折射率特性使其成为光波导片理想基底，可扩大视场角、解决彩虹纹问题，推动AR眼镜轻量化与全彩化。
预计到2030年全球AR眼镜领域衬底需求389万片，中国137万片，2025-2030E，CAGR~146%。
4）碳化硅或出现巨大供需缺口
国内SiC市场正处于快速发展关键阶段，未来五至十年需求驱动力显著增强，市场规模将实现量级跃升。
经综合测算，预计到2030年，全球6吋当量SiC衬底总需求量预计达1676万片，约为2025年需求量（134万片）的12倍；至2030年，中国SiC衬底需求量预计达728万片，较2025年需求量（84万片）增长约9倍。
预计2027年碳化硅衬底供需紧平衡，甚至存在出现产能供应紧张的可能性；2030年，全球1676万片的衬底需求量，较2025年的供给，存在约1200万片的产能缺口。
其中，AI中介层、新能源汽车、AR眼镜是三大核心增长点，预计到2030年需求占比分别为37%、26%、23%；
其中SiC在AI芯片先进封装散热材料的运用上，若能实现在“基板层”、“中介层”和“热沉”三个环节的产业化，2030E，全球碳化硅衬底需求量有望达到约3000万片。
5）相关公司
研报来源：
1、华西证券，刘泽晶，S1120520020002，Google引领全球AI产业前进。2025年11月23日
2、五矿证券，金凯笛，S0950524080002，碳化硅高速增长的前夕：功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动。2025年11月24日
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